Exhibit Details
出展内容
近年，デジタルコンテンツの大容量化に伴い，メモリデバイスの需要も高まっています．
メモリの微細化・高集積化が進む中，HZO（酸化ハフニウムジルコニウム）が次世代メモリデバイスの材料として注目されています．
本研究では，HZOを絶縁膜とした有機メモリトランジスタの作製を目指しています．トラ技Jr.2024年春号「有機半導体の不揮発性メモリ作製」の内容に加えて，HZO上での有機半導体TIPS-ペンタセンの振る舞いについて紹介します．
Profile
プロフィール
本研究室では，有機エレクトロニクスを中心にナノスケールでの物質の機能を応用した未来のデバイス作製技術の創成に取り組んでいます．
主に有機半導体，高分子材料を用いたフレキシブルデバイス作製技術に関する基礎研究を行っています.